در این پایان نامه با استفاده از روش تنگابست، خواص ترموالکتریکی نانو حلقه فسفرین در حضور و عدم حضور میدان مغناطیسی عمود بر نانو حلقه مورد محاسبه و تأثیر اتصال رابط ها به صورت متقارن و پادمتقارن مورد بررسی قرار گرفته است. یافته های ما نشان می دهد که تقارن)پادتقارن( ساختارهای نانویی طراحی شده ما، ویژگی های هندسی حلقه و میدان مغناطیسی سه عامل مهم در کنترل خواص ترموالکتریکی آن ها می باشند . نتایج ما نشان می دهد که وقتی نانو نوارهای فسفرین با لبه های زیگزاگ به صورت پاد متقارن به حلقه های مستطیلی متصل می شوند، یک گاف بزرگ در هدایت الکترونی به دلیل از بین بردن سهم حالت های لبه ای ایجاد می شود. این باعث افزایش قابل توجهی در پاسخ ترموالکتریک نسبت به حالت نوارهای زیگزاگ فسفرین خالص می شود. به طور جذاب تر، مشاهده کردیم که در این حالت هدایت الکتریکی و فونونی حرارتی به طور قابل ملاحظه ای کوچکتر می شوند و این عامل منجر به بهبود قابل توجه در عدد شایستگی می شود. علاوه بر این، برای پیکربندی های اتصال نامتقارن به رابط های دسته صندلی، متوجه شدیم که اگرچه ضریب سی بک تقریباً حفظ می شود، کاهش قابل ملاحظه در هدایت الکتریکی و حرارتی فونونی منجر به بهبود قابل توجهی در ضریب شایستگی می شود. همچنین، محاسبات عددی ما نشان داد که با تغییر شار مغناطیسی از طریق نانو حلقه ، افزایش چشمگیری در ضریب سی بک در نقطه ضدرزونانس مشاهده می شود.

ما قابلیت تنظیم ضریب سی بک و امکان روشن و خاموش کردن پاسخ ترموالکتریکی با میدان مغناطیسی را نشان دادیم. نتایج ما نانو حلقه فسفرین را به عنوان ساختارهای نانویی مناسبی برای کاربردهای ترموالکتریکی پیشنهاد می کند.